КОРРЕКТИРОВКА ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ РЕЖИМОВ ПОЛУЧЕНИЯ ПОДЗАТВОРНОГО ДИЭЛЕКТРИКА КМДП-ИС
Опубликовано: 16.07.2016
Опубликовано в выпуске:
2/2016 (6)
В данной статье проведено исследование режимов технологических операций формирования подзатворного диэлектрика серийно выпускаемых КМДП-ИС, направленное на снижение плотности дефектов изоляции и повышения средней величины заряда, инжектированного в подзатворный диэлектрик до его пробоя. На основе полученных экспериментальных данных и проведенного моделирования определены параметры технологической операции высокотемпературного отжига, позволяющие минимизировать дефектность подзатворного диэлектрика.