ЗАВИСИМОСТЬ СТАБИЛЬНОСТИ ПАРАМЕТРОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ ОТ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИЕВОЙ СТРУКТУРЕ

Опубликовано в выпуске: 3/2017 (14) , 29.10.2017
Представлено исследование влияния дефектов линий скольжения и дефектов упаковки кристаллической структуры кремния на стабильность параметров микросхем. Определены оптимальные режимы химического травления для выявления дефектов. Проведен замер напряжение смещения нуля (Uсм0) на микросхемах, изготовленных из краевых кристаллов, а затем - из центральных. Анализ полученных данных позволяет полагать, что линии скольжения и дефекты упаковки влияют на напряжение смещения нуля.

Новости

Полезные ресурсы