Исследование деградационных процессов в ИС операционных усилителей при подгонке тонкопленочных резисторов

Опубликовано в выпуске: 1/2019 (23) , 02.04.2019
Определены режимы подгонки тонкопленочных резисторов в ИС операционных усилителей не приводящие к последующей деградации интегральной микросхемы. Установлены факторы, влияющие на деградацию тонкопленочных резисторов и диэлектрической пленки, находящейся под ними при лазерном выжигании части резистивной пленки. Найдены режимы лазерной подгонки, позволяющие получить заданные параметры операционного усилителя не вызывающие деградационных процессов в элементах ИС.

Новости

Полезные ресурсы