Статья

Рассматриваются вопросы влияния деформации на величину удельного сопротивления в алмазоподобных кристаллах с учетом анизотропии. Формулируются математические выражения связывающие влияние деформации кристаллической решетки, изменение межатомного расстояния с изменением электропроводимости материала, подвижностью носителей заряда, тензорезистивным эффектом. Даны выражения для учета направления действия деформации вдоль осей [100] и [110] на примере алмазоподобного кристалла. Показан расчет смещения границы зоны проводимости алмаза в зависимости от прикладываемого усилия. Приводится зависимость относительного изменения сопротивления от деформации вдоль оси [001]. Установлено, что поведение границ зоны проводимости для разных энергетических зон зависит от направления приложенной деформации.