Статья

В статье рассматривается влияние неполной ионизации примесей бора, галлия и фосфора на профили удельного сопротивления в мультикристаллическом кремнии (mc-Si) p-типа. Кратко описаны теоретические основы явления неполной ионизации примесей. Рассчитаны величины доли ионизованных примесей и удельного сопротивления по высоте слитков кремния для случаев двойного и тройного легирования. Показаны преимущества использования галлия в качестве третьего легирующего компонента. Определены факторы, влияющие на величину неполной ионизации примесей в компенсированном кремнии.