Статья

Рассмотрено влияния сопротивления тела коллектора n-p-n транзисторов на динамические характеристики интегральной микросхемы быстродействующего компаратора напряжения. На основе экспериментальных исследований и результатов моделирования в Qucs-s был установлен оптимальный диапазон сопротивления тела коллектора 15-30 Ом. Предложены технологические режимы, позволяющие формировать n-p-n транзисторы с сопротивлением тела коллектора лежащим в этом диапазоне. Сделанные рекомендации по корректировке технологического процесса изготовления n-p-n транзисторов позволили повысить процент выхода годных кристаллов и стабильность производства интегральных микросхем быстродействующего компаратора напряжения.