Статья

Исследованы методы формирования знаков совмещения в кремнии для проекционной фотолитографии в технологии производства интегральных микросхем. Показано, что жидкостное травление кремния в растворе гидроксида калия (KOH) ограничено кристаллографической анизотропией и не обеспечивает требуемую форму и воспроизводимость структуры знаков совмещения. Установлено, что плазмохимическое травление позволяет формировать знаки совмещения в виде канавок с контролируемым профилем и четко определенной нижней границей, обеспечивающие стабильный оптический контраст. Выявлено влияние состояния поверхности кремниевой пластины на процесс травления. Разработан технологический процесс формирования знаков совмещения, для проекционной фотолитографии.