Статья

В данной работе рассматривается актуальная задача повышения качества и надёжности кристаллов КМОП-микросхем. Исследования сосредоточены на ключевых технологических операциях формирования активных областей транзистора: ионном легировании для создания областей стока и истока, а также формирования подзатворного диэлектрика термическим окислением. Проведен анализ влияния энергии ионного легирования на электрические характеристике интегральной микросхемы. Установлено, что при формировании областей стока и истока МОП транзисторов в микросхеме двенадцатиразрядного адресного регистра энергия ионного легирования не должна превышать для n-канального транзистора 45 кэВ, а для p-канального 40 кэВ. В качестве основного метода формирования подзатворного диэлектрика был выбран метод пирогенного окисления при температуре 1000 °С. Проведено сравнение пирогенного подзатворного диэлектрика с пленкой диоксида кремния формируемой во влажной среде при температуре среды 850 °С.