Статья

Проведено исследование влияния технологических режимов получения кристаллов интегральной микросхемы магистрального приемника, изготавливаемого по биполярной технологии с диодами Шоттки, на динамические характеристики микросхемы. Найдены оптимальные режимы формирования диффузионной области базы n-p-n транзисторов, позволяющие уменьшить время задержки распространения сигнала при включении приемника, при одновременном обеспечении заданного значения тока низкого уровня.