Статья

Разработана интегральная микросхема, изготавливаемая по кремниевой технологии и содержащая в одном кристалле фотоприемное устройство, работающее в диапазоне длин волн λ = (0.8 – 0.92) мкм и операционный усилитель, выполненный по биполярной технологии. Подобраны технологические режимы формирования элементов интегральной микросхемы, позволяющие получить требуемые фотоэлектрические характеристики и максимально адаптировать технологию под изготовление серийных биполярных кремниевых микросхем.