Статья

В данной работе проведено исследование конструктивных параметров и методов формирования тонкопленочных конденсаторов со структурой метал-диэлектрик-полупроводник (МДП). Исследовались МДП-конденсаторы, формируемые в составе полупроводниковых интегральных микросхем на основе двухслойного диэлектрика состоящего из пленок диоксида и нитрида кремния. Определены оптимальные соотношения между параметрами пленок диоксида и нитрида кремния, позволяющие обеспечить получение требуемого номинала емкости, пробивного напряжения, занимаемой площади и др. конструктивных и технологических параметров тонкопленочных конденсаторов. Предложены технологические методы формирования тонкопленочных МДП-конденсаторов максимально интегрированные в технологический процесс изготовления интегральных микросхем.